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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
69
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
30
读取速度,GB/s
3,325.1
17.1
写入速度,GB/s
1,441.2
13.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3221
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
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Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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