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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
69
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
35
读取速度,GB/s
3,325.1
14.4
写入速度,GB/s
1,441.2
11.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2883
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
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Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
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