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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
69
左右 -77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
39
读取速度,GB/s
3,325.1
14.5
写入速度,GB/s
1,441.2
15.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3269
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
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