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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
69
左右 -156% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.4
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
27
读取速度,GB/s
3,325.1
15.7
写入速度,GB/s
1,441.2
10.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3052
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
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