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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
69
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
34
读取速度,GB/s
3,325.1
15.4
写入速度,GB/s
1,441.2
11.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2780
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
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Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
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