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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
69
左右 -165% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
26
读取速度,GB/s
3,325.1
18.5
写入速度,GB/s
1,441.2
15.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3332
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
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