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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
69
75
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.3
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
75
读取速度,GB/s
3,325.1
14.3
写入速度,GB/s
1,441.2
6.3
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
1548
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston X74R9W-MIE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
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