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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905734-061.A00G 32GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
69
左右 -86% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
37
读取速度,GB/s
3,325.1
14.3
写入速度,GB/s
1,441.2
11.7
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2841
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
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