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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
19.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
69
左右 -86% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
37
读取速度,GB/s
3,325.1
19.5
写入速度,GB/s
1,441.2
12.4
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3355
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
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