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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
69
左右 -229% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.8
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
21
读取速度,GB/s
3,325.1
17.9
写入速度,GB/s
1,441.2
13.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3167
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
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