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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
69
左右 -176% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.8
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
25
读取速度,GB/s
3,325.1
14.6
写入速度,GB/s
1,441.2
6.8
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
2073
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
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A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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