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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
68
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.7
1,702.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
27
读取速度,GB/s
3,886.6
18.9
写入速度,GB/s
1,702.6
14.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
654
3418
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM的比较
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB RAM的比较
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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