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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
64
左右 -137% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
1,869.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
27
读取速度,GB/s
4,477.7
14.1
写入速度,GB/s
1,869.1
11.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
697
2552
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
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