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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
64
左右 -73% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
1,869.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
37
读取速度,GB/s
4,477.7
15.2
写入速度,GB/s
1,869.1
10.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
697
2528
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
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