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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
64
左右 -83% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,869.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
35
读取速度,GB/s
4,477.7
15.8
写入速度,GB/s
1,869.1
12.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
697
2927
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
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