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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
比较
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
总分
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
61
左右 -56% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.6
1,903.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
39
读取速度,GB/s
4,668.9
14.7
写入速度,GB/s
1,903.1
14.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
735
3185
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
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G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
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