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Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
比较
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB vs InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
总分
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
61
左右 -165% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.4
1,903.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
61
23
读取速度,GB/s
4,668.9
16.6
写入速度,GB/s
1,903.1
13.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
735
3169
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
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