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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
14.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
50
左右 -61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
31
读取速度,GB/s
15.3
14.7
写入速度,GB/s
10.9
11.0
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
2658
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
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Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
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