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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
50
53
左右 6% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.9
10.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20
15.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
53
读取速度,GB/s
15.3
20.0
写入速度,GB/s
10.9
10.2
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
2440
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
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Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
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