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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
12.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
50
左右 -16% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.6
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
43
读取速度,GB/s
15.3
12.8
写入速度,GB/s
10.9
14.6
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
3050
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB RAM的比较
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
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