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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
38
左右 -90% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
20
读取速度,GB/s
7.2
19.2
写入速度,GB/s
3.0
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
3326
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
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