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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
77
左右 -166% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
29
读取速度,GB/s
3,405.2
17.5
写入速度,GB/s
2,622.0
13.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3308
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Crucial Technology BLT8G3D1869DT1TX0. 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
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