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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
50
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
25
读取速度,GB/s
15.3
15.7
写入速度,GB/s
10.9
13.4
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
3077
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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