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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
45
左右 -114% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
21
读取速度,GB/s
12.3
18.0
写入速度,GB/s
8.0
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
3034
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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