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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Kingston 9965669-032.A00G 16GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
50
左右 -43% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
35
读取速度,GB/s
15.3
16.7
写入速度,GB/s
10.9
14.3
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
2915
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
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