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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
比较
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
总分
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
总分
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
50
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
15.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
10.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
50
28
读取速度,GB/s
15.3
16.5
写入速度,GB/s
10.9
13.7
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2512
3217
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
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