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Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
比较
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
总分
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
55
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
55
读取速度,GB/s
13.9
16.0
写入速度,GB/s
9.9
12.9
内存带宽,mbps
19200
25600
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2389
2699
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
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