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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
比较
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
35
左右 -6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
33
读取速度,GB/s
15.7
16.5
写入速度,GB/s
11.8
13.4
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2767
3160
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
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