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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
比较
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
11.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
37
读取速度,GB/s
15.7
14.8
写入速度,GB/s
11.8
11.0
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2767
2814
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
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