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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
比较
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
35
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
15.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
29
读取速度,GB/s
15.7
17.3
写入速度,GB/s
11.8
12.3
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2767
3030
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Super Talent F24EA8GS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
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