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Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
比较
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB vs AMD R7416G2400U2S 16GB
总分
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
总分
AMD R7416G2400U2S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
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需要考虑的原因
AMD R7416G2400U2S 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
38
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
9.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
22
读取速度,GB/s
14.2
18.1
写入速度,GB/s
9.5
14.6
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2470
3260
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
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