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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
比较
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
10.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
24
读取速度,GB/s
14.9
16.7
写入速度,GB/s
10.6
12.3
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
3063
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
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