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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs AMD R748G2400S2S 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
总分
AMD R748G2400S2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
135
左右 71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
AMD R748G2400S2S 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
135
读取速度,GB/s
15.5
15.2
写入速度,GB/s
11.5
8.2
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2264
1359
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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