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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
47
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.0
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
34
读取速度,GB/s
9.3
17.5
写入速度,GB/s
5.9
17.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
3697
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
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DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
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