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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
38
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
15.5
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
31
读取速度,GB/s
15.5
16.9
写入速度,GB/s
12.0
11.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3132
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
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Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
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