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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
38
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
23
读取速度,GB/s
15.5
18.4
写入速度,GB/s
12.0
13.6
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3387
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
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