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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
16.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 -14% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.8
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
29
读取速度,GB/s
17.6
16.9
写入速度,GB/s
12.0
13.8
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3285
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965657-011.A00G 16GB
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Kingston 9905598-028.A00G 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
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