RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
29
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
16.9
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3285
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link