RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
29
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3285
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link