RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
16
37
Около -131% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.7
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
16
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
21.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3872
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Inmos + 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link