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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
29
读取速度,GB/s
15.5
18.3
写入速度,GB/s
12.0
15.9
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3584
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston 9905471-084.A01LF 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
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