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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
11.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
38
左右 -58% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
24
读取速度,GB/s
15.5
15.1
写入速度,GB/s
12.0
11.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3045
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
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