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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston 9905744-005.A00G 16GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
38
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
31
读取速度,GB/s
15.5
17.3
写入速度,GB/s
12.0
14.2
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
2949
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
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