Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

总分
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

总分
star star star star star
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    38 left arrow 39
    左右 3% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    15.5 left arrow 8.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.0 left arrow 6.2
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 19200
    左右 1.33% 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    38 left arrow 39
  • 读取速度,GB/s
    15.5 left arrow 8.7
  • 写入速度,GB/s
    12.0 left arrow 6.2
  • 内存带宽,mbps
    25600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2283 left arrow 1842
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较