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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
38
左右 -6% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
36
读取速度,GB/s
15.5
14.4
写入速度,GB/s
12.0
10.6
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
2490
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
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