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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
38
左右 -46% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
26
读取速度,GB/s
15.5
14.7
写入速度,GB/s
12.0
10.1
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
2670
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
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