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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
38
左右 -58% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.6
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
24
读取速度,GB/s
15.5
19.0
写入速度,GB/s
12.0
17.6
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
3907
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
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