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Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
比较
Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
12800
8500
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.6
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.8
5.3
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
9.8
10.6
写入速度,GB/s
5.3
6.8
内存带宽,mbps
12800
8500
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
排名PassMark (越多越好)
1612
1479
Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB RAM的比较
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
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Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 9905469-136.A00LF 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
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