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Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

总分
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Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB

Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB

总分
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 30
    左右 10% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    12800 left arrow 8500
    左右 1.51% 更高的带宽
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    10.6 left arrow 9.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    6.8 left arrow 5.3
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    27 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    9.8 left arrow 10.6
  • 写入速度，GB/s
    5.3 left arrow 6.8
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 8500
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1612 left arrow 1479

Samsung M471B1B1B1B1B1K0 8GB RAM的比较

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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
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内存RAM
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
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Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
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