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Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
比较
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB vs AMD R538G1601S2LS 8GB
总分
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
总分
AMD R538G1601S2LS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.1
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R538G1601S2LS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 -61% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
45
28
读取速度,GB/s
12.1
11.3
写入速度,GB/s
7.9
8.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2054
1793
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB RAM的比较
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9905428-193.A00LF 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
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