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PNY Electronics PNY 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
NSITEXE Inc Visenta 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
58
左右 53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
NSITEXE Inc Visenta 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
58
读取速度,GB/s
13.8
18.0
写入速度,GB/s
8.4
8.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2025
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
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